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Número de pieza | BAS221 | |
Descripción | General purpose diode | |
Fabricantes | NXP Semiconductors | |
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DATA SHEET
book, halfpage
M3D154
BAS221
General purpose diode
Product specification
Supersedes data of 1999 Apr 26
1999 May 07
1 page Philips Semiconductors
General purpose diode
Product specification
BAS221
handbook1, 0ha2lfpage
IR
(µA)
10
(1)
1
(2)
MBG381
10 1
10 2
0
100
(1) VR = VRmax; maximum values.
(2) VR = VRmax; typical values.
Tj (oC)
200
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature.
handbook1, .h0alfpage
Cd
(pF)
0.8
MBG447
0.6
0.4
0.2
0 2 4 6 VR (V) 8
f = 1 MHz; Tj = 25 °C.
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, full pagewidth
RS = 50 Ω
V = VR IF x R S
D.U.T.
IF
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
R i = 50 Ω
MGA881
VR
tr
10%
tp
90%
input signal
t
IF
t rr
t
(1)
output signal
(1) IR = 3 mA.
Input signal: reverse pulse rise time tr = 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp = 100 ns; duty factor δ = 0.05.
Oscilloscope: rise time tr = 0.35 ns.
Circuit capacitance C ≤ 1 pF (oscilloscope input + parasitic capacitance).
Fig.7 Reverse recovery time and waveforms.
1999 May 07
5
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet BAS221.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BAS221 | General purpose diode | NXP Semiconductors |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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