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PDF BC857BW Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BC857BW
Descripción Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Fabricantes Diotec Semiconductor 
Logotipo Diotec Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! BC857BW Hoja de datos, Descripción, Manual

BC 856W ... BC 860W
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
PNP
2±0.1
0.3 3
Type
Code
12
1.3
1±0.1
Dimensions / Maße in mm
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25/C)
Collector-Emitter-voltage
B open
Collector-Base-voltage
E open
Emitter-Base-voltage
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- VCE0
- VCB0
- VEB0
Ptot
- IC
- ICM
- IBM
IEM
Tj
TS
BC 856W
65 V
80 V
Grenzwerte (TA = 25/C)
BC 857W BC 858W
BC 860W BC 859W
45 V 30 V
50 V 30 V
5V
200 mW 1)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150/C
- 65…+ 150/C
Characteristics (Tj = 25/C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
- VCE = 5 V, - IC = 10 :A
hFE
- VCE = 5 V, - IC = 2 mA
hFE
h-Parameters at - VCE = 5V, - IC = 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Stromverstärkung hfe
Input impedance – Eingangs-Impedanz
hie
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
hoe
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
hre
Group A
Kennwerte (Tj = 25/C)
Group B
Group C
typ. 90
110...220
typ. 150
200...450
typ. 270
420...800
typ. 220
1.6...4.5 kS
18 < 30 :S
typ.1.5 *10-4
typ. 330
3.2...8.5 kS
30 < 60 :S
typ. 2 *10-4
typ. 600
6...15 kS
60 < 110 :S
typ. 3 *10-4
1) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
16 01.11.2003

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BC857BPNP TransistorMulticomp
Multicomp
BC857BPNP Silicon Epitaxial TransistorsKingtronics
Kingtronics
BC857BSilicon PNP transistorBLUE ROCKET ELECTRONICS
BLUE ROCKET ELECTRONICS
BC857BPNP General Purpose TransistorROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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