|
|
Número de pieza | BGB420 | |
Descripción | Active Biased Transistor | |
Fabricantes | Infineon Technologies AG | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de BGB420 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 10 Páginas | ||
No Preview Available ! BGB420, Aug. 2001
BGB420
Active Biased Transistor
MMIC
Wireless
Silicon Discretes
Never stop thinking.
1 page BGB420
Maximum Ratings
Parameter
Maximum collector-emitter voltage
Maximum collector current
Maximum bias current
Maximum emitter-base voltage
Maximum base current
Total power dissipation, TS < 107°C1)
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature range
Thermal resistance: junction-soldering point
Symbol
VCE
IC
IBias
VEB
IB
Ptot
Tj
TOP
TSTG
Rth JS
Notes:
For detailed symbol description refer to figure 1.
1) TS is measured on the emitter lead at the soldering point to the PCB
Value
3.5
30
3
1.5
0.7
120
150
-40 ..+85
-65 ... +150
<270
Unit
V
mA
mA
V
mA
mW
°C
°C
°C
K/W
IBias
Bias,4
Bias
IC
C,3
VCE
B,1
IB VEB
E,2
Fig. 1: Symbol definition
Data sheet
5 2001-08-10
5 Page |
Páginas | Total 10 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet BGB420.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BGB420 | Active Biased Transistor | Infineon Technologies AG |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |