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PDF BFS17H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BFS17H
Descripción NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
Fabricantes Zetex Semiconductors　
Logotipo Zetex Semiconductors Logotipo



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SOT23 NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTORS
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS — BFS17L - E1L
BFS17H - E1H
BFS17L
BFS17H
CE
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Peak Pulse Current
ICM
Continuous Collector Current
IC
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX.
Collector Cut-Off
Current
ICBO
10
10
Static Forward Current hFE
Transfer Ratio
BFS17L
BFS17H
Transition
Frequency
fT
25 100
70 200
20 125
1.0
1.3
Feedback Capacitance
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
-Cre
Cobo
Cibo
N
0.85
4.5
1.5
2.0
Intermodulation
Distortion
dim
-45
VALUE
25
15
2.5
50
25
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
°C
UNIT CONDITIONS.
nA VCB=10V, IE=0
µA VCB=10V, IE=0,
Tamb = 100°C
GHz
GHz
pF
pF
pF
dB
dB
IC=2.0mA, VCE=1.0V
IC=2.0mA, VCE=1.0V
IC=25mA, VCE=1.0V
IC=2.0mA, VCE=5.0V
f=500MHz
IC=25mA, VCE=5.0V
f=500MHz
IC=2.0mA, VCE=5V, f=1MHz
VCB=10V, f=1MHz
VEB=0.5V, f=1MHz
IC=2.0mA, VCE=5.0V
RS=50Ω, f=500MHz
IC=10mA, VCE=6.0V
RL=37.5Ω,Tamb=25°C
Vo=100mV at fp=183MHz
Vo=100mV at fq=200MHz
measured at f(2q-p)=217MHz
Spice parameter data is available upon request for this device
TBA

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BFS17NPN 1 GHz wideband transistorNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BFS17Silicon NPN Planar RF TransistorVishay Telefunken
Vishay Telefunken
BFS17RF TRANSISTORMotorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
BFS17NPN small signal transistorROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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