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PDF 2N6520 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N6520 | |
| Descripción | COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS | |
| Fabricantes | Central Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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2N6515 2N6516 2N6517 NPN
2N6518 2N6519 2N6520 PNP
COMPLEMENTARY SILICON
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518
series devices are complementary silicon transistors
designed for high voltage driver and amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-92 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage (NPN)
Emitter-Base Voltage (PNP)
Continuous Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
VEBO
IC
IB
PD
TJ, Tstg
2N6515
2N6518
250
250
2N6516
2N6519
300
300
6.0
5.0
500
250
625
-65 to +150
2N6517
2N6520
350
350
UNITS
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C)
SYMBOL TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=150V
ICBO
VCB=200V
ICBO
VCB=250V
IEBO
VEB=5.0V (NPN)
IEBO
VEB=4.0V (PNP)
BVCBO
IC=100μA
BVCEO
IC=1.0mA
BVEBO
IE=10μA (NPN)
BVEBO
IE=10μA (PNP)
VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA
VCE(SAT) IC=20mA, IB=2.0mA
VCE(SAT) IC=30mA, IB=3.0mA
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
VBE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA
VBE(SAT) IC=20mA, IB=2.0mA
VBE(SAT) IC=30mA, IB=3.0mA
VBE(ON)
VCE=10V, IC=100mA
hFE VCE=10V, IC=1.0mA
hFE VCE=10V, IC=10mA
hFE VCE=10V, IC=30mA
hFE VCE=10V, IC=50mA
hFE VCE=10V, IC=100mA
2N6515
2N6518
MIN MAX
- 50
--
--
- 50
- 50
250 -
250 -
6.0 -
5.0 -
- 0.30
- 0.35
- 0.50
- 1.0
- 0.75
- 0.85
- 0.90
- 2.0
35 -
50 -
50 300
45 220
25 -
2N6516
2N6519
MIN MAX
--
- 50
--
- 50
- 50
300 -
300 -
6.0 -
5.0 -
- 0.30
- 0.35
- 0.50
- 1.0
- 0.75
- 0.85
- 0.90
- 2.0
30 -
45 -
45 270
40 200
20 -
2N6517
2N6520
MIN MAX UNITS
--
nA
--
nA
- 50
nA
- 50
nA
- 50
nA
350 -
V
350 -
V
6.0 -
V
5.0 -
V
- 0.30
V
- 0.35
V
- 0.50
V
- 1.0
V
- 0.75
V
- 0.85
V
- 0.90
V
- 2.0
V
20 -
30 -
30 200
20 200
15 -
R2 (18-January 2016)
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| PDF Descargar | [ Datasheet 2N6520.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N652 | Trans GP BJT PNP 0.5A |  New Jersey Semiconductor |
| 2N6520 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |  Zetex Semiconductors |
| 2N6520 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |  Samsung semiconductor |
| 2N6520 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |  Fairchild Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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