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Número de pieza | IRF640 | |
Descripción | N-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET | |
Fabricantes | WEITRON | |
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No Preview Available ! N-Channel Enhancement
Mode POWER MOSFET
P b Lead(Pb)-Free
3 DRAIN
Features:
1 GATE
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)
R DS(ON) <0.18 Ω@V GS =10V
* Single Pulse Avalanche Energy Rated
* SOA is Power Dissipation Limited
* Nanosecond Switching Speed
* Linear Transfer Characteristics
* High Input Impedance
2
SOURCE
IRF640
DRAIN CURRENT
18 AMPERES
DRAIN SOURCE VOLTAGE
200 VOLTAGE
1
2
3
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
TO-220AB
Maximum Ratings(Ta=25 C Unless Otherwise Specified)
Rating
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, (VGS@10V, TC=25˚C)
, (VGS@10V, TC=100˚C)
Pulsed Drain Current
Total Power Dissipation(TC=25˚C)
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RθJC
RθJA
TJ
Tstg
Value
200
±20
18
11
72
125
1
62
+150
- 55~+150
Unit
V
A
W
˚C/W
˚C/W
˚C
˚C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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04-Nov-08
1 page IRF640
WEITRON
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PDF Descargar | [ Datasheet IRF640.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
IRF640 | N-channel TrenchMOS transistor | NXP Semiconductors |
IRF640 | N-CHANNEL 200V, 18A, MOSFET ( TO-220/TO-220FP ) | STMicroelectronics |
IRF640 | Power MOSFET(Vdss=200V/ Rds(on)=0.18ohm/ Id=18A) | International Rectifier |
IRF640 | 200V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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