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PDF MUR860 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MUR860 | |
| Descripción | Superfast Efficient Rectifier Diodes | |
| Fabricantes | Diotec Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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MUR860
MUR860
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 8 A
VF1 < 1.4 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 600 V
IFSM = 90/100 A
trr1 < 50ns
Version 2016-01-22
TO-220AC
1.2±0.2
4.5±0.2
2.67±0.2
0.42±0.1
10.1±0.3
Ø 3.8±0.2
4
Type
Typ
13
4
1.3±0.1
0.8±0.2
1
5.08±0.1
3
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Features
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Packed in tubes
Weight approx.
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
50 Verpackt in Stangen
1.8 g
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
MUR860
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
600
Grenzwerte 2)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing
Grenzlastintegral, t < 10 ms
MUR860
MUR860
MUR860
TC = 150°C
f > 15 Hz
IFAV
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i2t
8 A 3)
18 A 3)
90 / 100 A
40 A2s
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
VR = VRRM
MUR860
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Kennwerte
IR < 5 µA
IR < 500 µA
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthA < 75 K/W 3)
RthC < 2.0 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MUR860 | GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER |  JINAN JINGHENG ELECTRONICS |
| MUR860 | Superfast Efficient Rectifier Diodes | Diotec Semiconductor |
| MUR860 | ULTRA FAST RECTIFIERS |  LuJing |
| MUR860 | Glass passivated super fast rectifier |  First Silicon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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