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PDF P25B6EB Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P25B6EB | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | SHINDENGEN | |
| Logotipo |  |
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P25B6EB
60V25A
特長
煙高速スイッチング
煙低オン抵抗
Feature
煙 FastSwitching
煙 LowRON
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
P25B6EB
000A00
Unit：mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
－55～150
150
60
±20
25
70
35
16
29
℃
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
IDSS VDS＝60V,VGS＝0V
IGSS VGS＝±20V,VDS＝0V
gfs ID＝12.5A,VDS＝10V
60 ─ ─
V
──
1
μA
─ ─ ±10
6.0 12.0 ─
S
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝12.5A,VGS＝10V
ID＝12.5A,VGS＝4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝25A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲートソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD＝48V,VGS＝10V,ID＝25A
ゲートドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝12.5A,RL＝2.4Ω,VDD＝30V,Rg＝0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
─ 23.0 29.0
mΩ
─ 29.5 40.0
1.5 2.0 2.5
─ ─ 1.5
V
─ ─ 3.55 ℃/W
─ 14.5 ─
─ 3.3 ─ nC
─ 4.5 ─
─ 785 ─
─ 45 ─ pF
─ 115 ─
─ 18 ─
─ 110 ─
─ 55 ─
ns
─ 80 ─
（MOSFET〈2012.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P25B6EB | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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