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PDF WSB5558N Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | WSB5558N | |
| Descripción | Schottky Barrier Diode | |
| Fabricantes | WillSEMI | |
| Logotipo |  |
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WSB5558N
Schottky Barrier Diode
Features
100mA Average rectified forward current
Low forward voltage
Low leakage current
Small package DFN1006-2L
Applications
Low Current rectification
Absolute maximum ratings
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Peak forward surge current (8.3ms single sine pluse)
Junction temperature
Operating temperature
Storage temperature
WSB5558N
Http://www.sh-willsemi.com
DFN1006-2L
Circuit
Symbol
VRM
VR
IO
IFSM
TJ
Topr
Tstg
Marking
Value
30
30
100
1
150
-40 ~ 125
-40 ~ 150
Unit
V
V
mA
A
OC
OC
OC
Electronics characteristics (TA=25oC)
Parameter
Symbol
Condition
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse current
Junction capacitance
Thermal Resistance
VR
VF
IR
CJ
Rθ(JA)
IR=100uA
IF=10mA
IF=100mA
VR=10V
VR=30V
VR=5V, F=1MHz
Junction to Ambient
Order Informations
Device
WSB5558N-2/TR
Package
DFN1006-2L
Min.
30
Typ.
21
Max. Unit
0.32
0.45
15
30
500
V
V
uA
uA
pF
K/W
Marking
T*(1)
Shipping
10000/Reel&Tape
Note 1：*= Month code(A~Z); T= Device code;
Will Semiconductor Ltd. 1 Feb,2015– Rev. 1.0
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| PDF Descargar | [ Datasheet WSB5558N.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| WSB5558N | Schottky Barrier Diode | WillSEMI |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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