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PDF WSB5508L Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza WSB5508L
Descripción Schottky Barrier Diode
Fabricantes WillSEMI 
Logotipo WillSEMI Logotipo



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No Preview Available ! WSB5508L Hoja de datos, Descripción, Manual

WSB5508L
Middle Power Schottky Barrier Diode
Features
1A Average rectified forward current
Low forward voltage
Low leakage current
SOD-123 package
Applications
Switching circuit
Middle current rectification
Absolute maximum ratings
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Peak forward current (1)
Operating Junction Temperature
Storage temperature
WSB5508L
Http//:www.willsemi.com
SOD-123
Circuit
*L
Marking
Symbol
VRM
VR
IO
IPK
Topr
Tstg
Value
40
40
1
25
-55 ~ 150
-55 ~ 150
Unit
V
V
A
A
OC
OC
Electronics characteristics (TA=25oC)
Parameter
Symbol
Condition
Forward voltage
Reverse current
Junction capacitance
Thermal resistance
VF IF=1A
IR VR=40V
CJ VR=4V, F=1MHz
RθJL Junction to lead
Min.
Typ.
105
Max.
0.57
100
120
Unit
V
uA
pF
K/W
Order Informations
Device
WSB5508L-2/TR
Package
SOD-123
Note 1: Pulse Width=1us, Single Pulse
Note 2: * = Month code (A~Z); L = Device code
Marking
*L (2)
Shipping
3000/Reel&Tape
Will Semiconductor Ltd.
1 Jan, 2016-Rev. 1.2

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
WSB5508LSchottky Barrier DiodeWillSEMI
WillSEMI

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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