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PDF BLD135DH Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BLD135DH | |
| Descripción | TRANSISTORS | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
BLD NPN 系列晶体管/ BLD NPN SERIES TRANSISTORS
BLD135DH
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■● FEATURES： HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 充电器 节能灯 电子镇流器
■ ■ ■●APPLICATION: RECHARGER
FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
●最大额定值（Ta=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Ta=25°C） TO-251/251S/252
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL VALUE UNIT
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO 850 V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
450 V
集电极-发射极电压
Emitter- Base Voltage
VEBO 9.0 V
基极电流
Base Current
Ib 1.0 A
集电极电流
Collector Current
IC 4.0 A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot 1.3 W
最高工作温度
Junction Temperature
Tj 150 °C
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-65-150
°C
●电特性（Ta=25°C）
●Electronic Characteristics（Ta=25°C）
参数名称
符号
测试条件
CHARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极 -基极电压
Emitter- Base Voltage
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCBO
VCEO
VEBO
TEST CONDITION
VCB=850V
VCE=450V,IB=0
IC=1mA,IE=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
Vbesat
IC=0.5A,IB=0.1A
IC=4.0A,IB=1.0A
IC=2.0A,IB=0.5A
最小值
MIN
850
450
9
最大值
MAX
100
250
0.5
1.5
1.6
单位
UNIT
μA
μA
V
V
V
V
V
V
电流放大倍数
DC Current Gain
VCE=5V,IC=10mA
7
hFE
VCE=5V,IC=1A
20 30
VCE=5V,IC=4.0A
5
贮存时间/Storage Time
ts
Vcc=5V,Ic=0.5A
2
4 μS
下降时间/Falling Time
tf (UI9600)
0.8 μS
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
Vf If=2.0A
2.6 V
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-251 或 251S 普通袋装/NORMAL PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
无卤塑封料
Nornal Package Material
BLD135DH TO-251 或 251S
Halogen Free
BLD135DH TO-251 或 251S-HF
TO-251 或 251S 条管/TUBE
BLD135DH TO-251 或 251S-TU BLD135DH TO-251 或 251S-TU-HF
TO-252 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD135DH TO-252
BLD135DH TO-252-HF
TO-252 盘式编带/TAPE&REEL
BLD135DH TO-252-TR
BLD135DH TO-252-TR-HF
Si semiconductors 2013.12
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
b
b2
D
E
L1
L2
K
TO-252 封装机械尺寸
最小值
min
TO-252 MECHANICAL DATA
最大值
max
符号
SYMBOL
单位:毫米/UNIT：mm
最小值
最大值
min max
2.10
2.50
B
0.85
1.25
0.50
0.80
b1
0.50
0.90
0.45
0.70
C
0.45
0.70
6.30
6.75
D1
5.10
5.50
5.30
6.30
e1
2.25
2.35
9.20
10.60
e2
4.45
4.75
0.90
1.75
L3
0.60
1.10
0.00
0.23
Si semiconductors 2013.12
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BLD135D | NPN Transistor |  Shenzhen SI Semiconductors |
| BLD135DH | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
| BLD135DL | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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