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PDF EMD04N04E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD04N04E
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD04N04E Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
4mΩ 
ID 
155A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD04N04E
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=80A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
155 
110 
540 
80 
320 
160 
227 
73 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=20V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=40V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
0.55 
62.5 
°C / W 
2014/11/17 
p.1 

1 page




EMD04N04E pdf
  EMD04N04E
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 20A
 8
VD  S = 10V 20V
 
 6
 4
 
 2
 0
0
 
30 60 90
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
120
6000
4500
3000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
1500
0
0
Coss
Crss
10 20 30
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
40
  Maximum Safe Operating Area
  103
RDS(ON) Limited
 
  102
10μs
100μs
1ms
 
101
 
10ms
DC
  100
  TC=25°C
    RθJC=0.55°C/W
  Vgs=10V
  Single Pulse
  101
100
101 102
VDS, DrainSource Voltage( V )
 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
Single Pulse
Rθ  JC  = 0.55 °C/W
TC  = 25 °C
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
 
  100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
  0.05
  0.02
0.01
 
102
 
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=0.55°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
2014/11/17 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD04N04EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD04N04HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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