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PDF EMD08N06E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD08N06E
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD08N06E Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
8mΩ 
ID 
110A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD08N06E
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=60A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
110 
80 
380 
60 
180 
90 
166 
68 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=60V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
0.75 
62.5 
°C / W 
2014/8/15 
p.1 

1 page




EMD08N06E pdf
  EMD08N06E
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 20A
 8
VD  S  = 15V 30V
 
6
 
 4
 
2
 
 
0
0
 
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
4000
3000 Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
2000
1000 Coss
Crss
0
0
15 30 45
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
  103
Maximum Safe Operating Area
  RDS(ON) Limited
  102
 
  101
10μs
100μs
1ms
10ms
DC
 
100
    TC=25°C
  RθJC=0.75°C/W
  Vgs=10V
    Single Pulse
101
1 10 100
  VDS, DrainSource Voltage( V )
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
RTθC    J= C = 2 05. °7C5 °C/W
0.1 1 10 100
Single Pulse Time( sec ) 
1000
 
 
100
  D=0.5
Transient Thermal Response Curve
 
0.2
  0.1
101
  0.05
Note :
  1. RθJC(t)=0.75°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  102
single pulse
PDM
t1
t2
 
  105 104 103 102 101 100
t1,Time( sec )
 
101
 
 
 
2014/8/15 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD08N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD08N06EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD08N06HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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