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PDF EMD04N60AK Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD04N60AK
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD04N60AK Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
600V 
D
RDSON (MAX.) 
3.3Ω 
ID  4A 
G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=4A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/3/25 
EMD04N60AK
LIMITS 
±30 
4 
3.2 
16 
4 
24 
4 
30 
12 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
110 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD04N60AK pdf
 
 
 
  G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
12
ID = 2 A
 
10
 
V DS =150V
300V
 8
 6
 4
 
2
 
0
  04
8 12
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
Maximum Safe Operating Area
  100
 
 
 
 
10
R  D S ( O N ) L im it
1
  0.1
  VG S  = 10V
Single Pulse
  R  JC  = 4.2°C/W
  TA   = 25°C
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
  0.01
1
 
10 100 1000
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
10000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
 
0.001
  105 104 103 102
101
t 1 ,Time (sec)
 
 
 
 
 
 
 
1000
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
C is s
100
C o ss
10
C rss
f =  1  M H z
V GS= 0  V
1
0 5 10 15 20
V DS ‐D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
25
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.Rθ  J C  = 4.2°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
1 10
100
2015/3/25 
EMD04N60AK
30
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD04N60AK.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD04N60ABField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD04N60AKField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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