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PDF EMD04N08FN Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD04N08FN
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD04N08FN Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
5mΩ 
ID  75A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD04N08FN
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=70A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±30 
75 
45 
160 
70 
245 
122 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=40V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=80V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
65 
2017/3/7 
p.1 

1 page




EMD04N08FN pdf
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
I D  = 20A
 
8
VD  S = 20V
40V
 
  EMD04N08FN
8000
6000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
 6
 4
 
 2
 0
0
 
20 40 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
80
4000
2000
0
0
Coss
Crss
20 40 60
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
80
 
  1000
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
 
  100
R  d  s( o n ) L im it
1 0  μ s
 
  10
1 0 0    μs
D
1
C
0
1m
10ms
0ms
s
 
  1 V G   S  =   1 0 V
S IN G LE  P U LS E
R  θ J C  =   2 . 5  °C / W
  T c  =  2 5  °C
0 .1
0 .1 1
10 100
  V D   S  , D r a i n ‐   S o u r c e   V o lt a g e (   V   )
600
500
400
300
200
100
0
0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
RTθC    J= C = 2 25°. 5C° C/W
0.1 1 10 100
Single Pulse Time( sec ) 
1000
 
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
  0.2
  101 0.1
Note :
  1. RθJC(t)=2.5°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
0.05
  0.02
PDM
  0.01
102
single pulse
t1
t2
 
  105 104 103 102 101 100 101
t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2017/3/7 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD04N08FNField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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