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PDF EMC04N08F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMC04N08F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMC04N08F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
75V 
D
RDSON (MAX.) 
4.4mΩ 
ID  86A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMC04N08F
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±30 
86 
54 
200 
90 
405 
202 
56 
22 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=38V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=75V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2.2 
62.5 
°C / W 
2016/11/7 
p.1 

1 page




EMC04N08F pdf
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
I D  = 24A
 
VD  S = 40V
8
 
  EMC04N08F
8000
6000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
 6
 4
 
 2
4000
2000
Coss
 0
0 20 40 60 80
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
Crss
0
0 20 40 60
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
80
 
  1000
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
 
  100
R   D S ( O N L) im it
 
  10
1 0μ  s
1m s 100 μ s
D
1
C
0
10m
0ms
s
 
  1 V G   S  =   1 0 V
S IN G LE  P U LS E
R θ   J C  =   2 . 2  °C / W
  T c  =  2 5  °C
0 .1
0 .1 1
10 100
  V D   S  , D r a i n ‐   S o u r c e  V o l t a g e (   V  )
600
500
400
300
200
100
0 0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
RTθC    J= C = 2 25°. C2° C/W
0.1 1 10 100
Single Pulse Time( sec ) 
1000
 
Transient Thermal Response Curve
 
  100
D=0.5
 
0.2
 
  101 0.1
0.05
  0.02
  0.01
102
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=2.2°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
 
105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2016/11/7 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMC04N08EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMC04N08FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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