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PDF EMD12N10E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD12N10E
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD12N10E Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
11.5mΩ 
ID  95A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD12N10E
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±30 
95 
67 
280 
90 
405 
202 
166 
66 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=50V, L=0.1mH, VG=10V, IL=60A, Rated VDS=100V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
0.75 
62.5 
°C / W 
2015/10/12 
p.1 

1 page




EMD12N10E pdf
  EMD12N10E
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 32A
VD  S = 25V
 8
50V
 
6
 
 4
 2
 
 
0
0
 
10 20 30
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
40
4000
3000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
2000
1000
Coss
Crss
0
0 25 50 75
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
  103
Maximum Safe Operating Area
  RDS(ON) Limited
  102
 
101
 
10μs
100μs
1ms
10ms
DC
  100
  TC=25°C
    RθJC=0.75°C/W
  Vgs=10V
  Single Pulse
  101
100
 
101
VDS, DrainSource Voltage( V )
102
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
Rθ  JC  = 0.75° C/W
TC  = 25° C
0.1 1 10 100
Single Pulse Time( sec ) 
1000
 
 
  100
D=0.5
 
0.2
  0.1
101
  0.05
Transient Thermal Response Curve
Note :
  1. RθJC(t)=0.75°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  102
single pulse
PDM
t1
t2
 
105 104 103 102 101 100
  t1,Time( sec )
101
 
 
 
 
 
2015/10/12 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD12N10EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD12N10HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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