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PDF EMD16N08H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD16N08H
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD16N08H Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
12.8mΩ 
ID  47A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1,3 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=30A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3Pulsed drain current rating is package limited. 
  
 
 
EMD16N08H
LIMITS 
±30 
47 
27 
150 
30 
45 
22.5 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
75 
UNIT 
°C / W 
2015/9/23 
p.1 

1 page




EMD16N08H pdf
  EMD16N08H
 
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 20A
 8
VD  S  = 20V 40V
2000
1500
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
 6
 
4
 
 2
1000
Coss
500
 
0
 0
7 14 21
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
28
 
  103
Maximum Safe Operating Area
 
  102 RDS(ON) Limited
 
10μs
100μs
  101
1ms
10ms
  DC
  100
  TC=25°C
  RθJC=2.5°C/W
  Vgs=10V
    Single Pulse
101
  100
101 102
VDS, DrainSource Voltage( V )
0
0
3000
2500
Crss
20 40 60
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
80
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
SRθI N JC  G= L2E. 5P° UC/LWSE
TC  = 25° C
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
0.5
Transient Therm al Response Curve
  0.3
  0.2 0.2
  0.1 0.1
0.05
  0.05
0.02
  0.03
0.01
  0.02
Single Pulse
0.01
  102
1 01
 
1 10
t 1 ,Tim e ( m SEC  )
Notes:
DM
1 .D u ty C y cle ,D  =
t1
t2
2 .Rθ  J C  = 2 .5 °C /W
3 .TJ  ‐  T C  =  P  *  R θ  J C  (t)
4 .Rθ  J C (t)= r(t) *  RθJC
100
1000
 
 
  
2015/9/23 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD16N08HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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