DataSheet.es    


PDF EMP16N04HS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMP16N04HS
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMP16N04HS (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 6 Páginas

No Preview Available ! EMP16N04HS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
1.6mΩ 
ID 
100A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMP16N04HS
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current1 
Pulsed Drain Current2 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
100 
100 
400 
Avalanche Current 
IAS  85 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy3 
L = 0.1mH, ID=85A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
361 
180 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
65 
26 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=40V NCH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient4 
RJA 
1 Package Limited. 
2Pulse width limited by maximum junction temperature. 
3Duty cycle  1 
450°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
1.9 
°C / W 
50 
2017/3/15 
p.1 

1 page




EMP16N04HS pdf
  EMP16N04HS
 
 
 
  12
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  ID = 5 0 A
10
 
8
 
V DS =20V
 6
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
10 4
C is s
10 3 Coss
Crss
 4
10 2
 2
 0
0
 
30 60
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
90
f = 1 M Hz
V G S= 0  V
0 5 10 15 20 25 30 35 40
VDS ‐D rainSource Voltage( V )
 
  1000
 
100
 
  10
 
M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
R   d s ( o n )Lim it
1ms
D
1
C
0
0
1
m
0
s
m
s
1 0 μ s
1 0 0   μs
  1 V G   S  =   1 0 V
S in g le  P u lse
  R  θ J C  =   1 . 9  °C / W
T c   =   2 5  °C
  0 .1
0 .1
1 10
V D   S  , D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
 
100
3000
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
SRTiθC  n  J= Cg = l2e 15 °P. 9Cu° Cls/eW
0.1 1 10 100
Single Pulse Time ( mSEC ) 
1000
 
 1
D u ty  C y c le  =  0 .5
  0.5
0.3
  0.2 0.2
  0.1 0.1
  0.05
0.05
  0.02
0.03
0.01
  0.02
S in g le  P u ls e
  0.01
1 02
1 01
 
Transient Therm al Response Curve
Notes:
DM
1.D uty Cycle,D  =
t1
t2
2 .R θ  J C  = 1 .9 °C / W
3 .TJ  ‐  T C   =  P  *  R θ  J C  (t)
4 .R  θ J C (t )= r (t ) *  Rθ JC
1 10
t 1 ,T im e  ( m S E C  )
100
1000
 
 
 
 
 
2017/3/15 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 6 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMP16N04HS.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMP16N04HSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar