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PDF EMBE0A10G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBE0A10G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBE0A10G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
RDSON (MAX.) 
500mΩ 
ID  1.5A 
 
UIS 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
VGS 
ID 
IDM 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
EMBE0A10G
LIMITS 
±20 
1.5 
0.9 
6 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBE0A10G pdf
  EMBE0A10G
 
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 1.5A
 8
 
6
 
VD  S = 25V 50V
 4
 
2
 
 
0
0
 
3 69
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
12
Capacitance Characteristics
500
450
f  =  1M H z
V  G S  = 0 V
400
350
Ciss
300
250
200
150
100
50
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
 
  100
M axim um  Safe O p eratin g A rea
 
  10
  1 R  D S  (O  N  )Limit
 
 
0.1
10uS
100uS
1mS
DC 100m10SmS
  VG  S = 10V
Single Pulse
  0.01
R  J A=  6 2 .5 ° C / W
T A    =  2 5 ° C
0.1 1 10 100
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1000
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 62.5°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1 1
t 1 ,Time ( sec )
10
100 1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  0.1
0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J A  =62.5°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
2013/8/30 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBE0A10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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