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PDF EMB9930G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB9930G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB9930G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
2N & 2PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
40mΩ  45mΩ 
ID 
5.5A 
4.5A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
390°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/6/18 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB9930G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
5.5  ‐4.5 
4.6  ‐3.8 
22  ‐18 
1.38 
0.75 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
36 
90 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB9930G pdf
 
NChannel 
 
 
24
OnRegion Characteristics
  VG S = 10V 6V
7V
  20
5V
  16
  12
4.5V
 8
 
4
 
 0
01
2
34
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
5
 
  1.9
OnResistance Variation with Temperature
  I D  = 5.5A
VG S  = 10V
  1.6
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
24
Transfer Characteristics
  VD S  = 10V
  20
  16
TA   = ‐55°C
25°C
  12
 8
125°C
 
4
 
0
  1 1.5 2.0
2.5 3.0
3.5
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
2012/6/18 
  EMB9930G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
5 10 15
I D  ‐ Drain Current( A )
20
25
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.09
0.08 I D  = 2.8 A
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VG S   = 0V
10
1
0.1
T A  = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB9930GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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