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PDF EMB50D03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB50D03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB50D03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
21mΩ  50mΩ 
ID  8A  ‐5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB50D03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
NCH 
PCH 
V 
±20  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω(N) 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω(P) 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
8  ‐5 
6.4  ‐4 
32  ‐20 
10  ‐10 
5  5 
2.5  2.5 
2 
1.28 
55 to 150 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=6A, Rated VDS=30V NCH 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=6A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
JunctiontoAmbient3 
2015/4/27 
RJC 
RJA 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB50D03G pdf
 
NChannel 
 
  30
OnRegion Characteristics
VG S = 10V 6V
  25 7V 5V
  20
 
15
 
  10
4.5V
 5
 0
01
2
34
  VD S  ‐ Drain Source Voltage(V)
5
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 8A
VG S  = 10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
  0.7
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
30
Transfer Characteristics
  VD S  = 10V
  25
  20
T A  = ‐55° C
25° C
  15
  10
125° C
 
5
 
0
  1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
2015/4/27 
  EMB50D03G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
6 12 18
I D  ‐ Drain Current(A)
24 30
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 6 A
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG S  = 0V
1
0.1 T A  = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB50D03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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