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PDF EMB50B03V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB50B03V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB50B03V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID  ‐5.5A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/10/25 
EMB50B03V
LIMITS 
±20 
5.5 
4.2 
22 
2 
1.08 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB50B03V pdf
  EMB50B03V
 
 
 
10
  I D  = ‐5A
 8
 
6
 
 4
 
2
 
 0
02
 
Gate Charge Characteristics
VD S   = ‐5V
10V
15V
4 6 8 10 12
Q g  ,Gate Charge( nC )
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1MHZ
VG S  = 0V
Coss
Crss
5 10 15 20 25 30
VD  S  DrainSource Voltage( V )
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
 
  10 R D S ( O N  )Limit
 
1
 
 
  0.1
VG  S = ‐10V
SINGLE PULSE
  0.01 RTθ A   J =A = 2 65°2 C.5° C/W
  0.1
 
 
100μ   s
1ms
10ms
100ms
1s
D1C0s
1 10
VD  S ,DrainSource Voltage( V )
100
Transient Thermal Response Curve
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 62.5°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 1
 
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
 
0.1
  0.1
  0.05
  0.02
0.01
  0.01
  10 4
Single Pulse
10 3
10 2
 
10 1
1
t1  ,Time ( SEC )
Notes:
P DM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.Rθ  J A  =62.5°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
 
 
 
2012/10/25 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB50B03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB50B03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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