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PDF EMB45P03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB45P03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB45P03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
45mΩ 
ID  ‐6A  G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/4/26 
EMB45P03G
LIMITS 
±20 
6 
5 
24 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB45P03G pdf
  EMB45P03G
 
 
 
  10
I  D = ‐6A
 8
 
 6
Gate Charge Characteristics
VD S   = ‐5V
10V
15V
 4
 
 2
 0
  02
4 6 8 10 12
Q g  ,Gate Charge( nC )
 
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1MHZ
VG  S = 0V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
V D S  DrainSource Voltage( V )
25
30
  100
 
Maximum Safe Operating Area
   10 R D S ( O N  )Limit
 1
100μ   s
1ms
10ms
100ms
1s
 
10s
DC
  0.1
VG  S = ‐10V
SINGLE PULSE
  0.01 RTθ  A  J =A = 2 15°2 C5° C/W
  0.1
1
10
  VD  S ,DrainSource Voltage( V )
50
30
25
20
15
10
5
00.01
SINGLE PULSE
RT  Aθ  J= A = 2 15°2 C5° C/W
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec )
100 300
 
 1
Transient Thermal Response Curve
  D=0.5
  0.2
  0.1 0.1
  0.05
  0.02
0.01
  0.01
 
SINGLE PULSE
 
  0.001
0.0001
0.001
 
0.01
0.1 1
t1 , Time( ms )
R JA(t)= r(t)
R
JA
R JA = 125 C/W
P(pk)
t1
t2
Tj - TA = P
R (t)
JA
Duty Cycle,D= t1 / t 2
10 100
1000
 
 
2012/4/26 
p.5 

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PDF Descargar[ Datasheet EMB45P03G.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB45P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB45P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB45P03PField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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