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PDF EMD07P03A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD07P03A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD07P03A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
8mΩ 
ID 
70A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD07P03A
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=50A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±25 
70 
50 
150 
50 
125 
62.5 
25 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/4/19 
 
 
2 
°C / W 
50 
p.1 

1 page




EMD07P03A pdf
 
10
I D  = ‐ 25A
Gate Charge Characteristics
8 ‐ 10V
VD  S   = ‐ 5V ‐ 15V
6
4
2
0
0 15 30 45 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
75
  EMD07P03A
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ V D S , DrainSource Voltage( V )
25
30
300
100 R d s (o  n ) Limit
10
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
10μ  s
100μ  s
1ms
10ms
D1C00ms
1
0.5
0.5
VG  S = ‐10V
RSIθ N J C G= L2E. 0P° UC/LWSE
Tc = 25° C
1 10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
1 Transient Thermal Response Curve
Duty Cycle = 0.5
0.5
0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0.05
0.05
0.02
0.03
0.01
0.02
Single Pulse
0.01
102
101
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =2.0°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000 SRTIθC  N  J= C G= 2 L25E°.  0CP° UC/LWSE
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
1000
2012/4/19 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD07P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD07P03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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