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PDF EMBB0P10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBB0P10A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
205mΩ 
ID 
10A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2012/9/21 
EMBB0P10A
LIMITS 
±20 
10 
7 
40 
12 
7.2 
3.6 
29 
12 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.3 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBB0P10A pdf
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  EMBB0P10A
10
I D  = ‐ 10A
Gate Charge Characteristics
8
V D S   = ‐ 50V ‐ 80V
6
4
2
0
0 10 20 30
Q g  ‐ Gate Charge(nC)
100
10
1
M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
R   D  S ( O  N )Lim it
100uS 10uS
1mS
D
1
C
10m
00mS
S
40
0 .1
    V G   S   =   ‐ 1 0 V
S in g le  P u lse
R   JC  =   4 . 3 ° C / W
    T C      =   2 5 ° C
0 .0 1
1 10 100
V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
1000
Transient Thermal Response Curve
3000
2700
2400
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
f  =  1M H z
V  G S  =  0  V
2100
1800
C iss
1500
1200
900
600
Coss
300
0 Crss
0
20 40 60 80
VD S  ‐ D r a in S o u r c e  V o lta g e ( V  )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 SRθi n JC g =le 4 P.3u Cl°s/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
100
D=0.5
0.2
101 0.1
0.05
0.02
0.01
102
single pulse
105 104 103 102
t1,Time( sec )
Note :
  1. RθJC(t)=4.3°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
101 100
101
2012/9/21 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBB0P10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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