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PDF EMB90P06CS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB90P06CS
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB90P06CS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
90.8mΩ 
ID 
10A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2013/6/13 
EMB90P06CS
LIMITS 
±20 
10 
7 
40 
10 
5 
2 
27 
8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.5 
85 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB90P06CS pdf
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  EMB90P06CS
Gate Charge Characteristics
10
I D  = ‐ 10A
8
V D S   = ‐ 15V ‐ 30V
6
4
2
0
05
10
Q g  ‐ Gate Charge(nC)
15
20
1500
1200
900
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
600
300
0
0
Coss
Crss
15 30
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
45
60
Maximum Safe Operating Area
80
50
R D  S (O  N )  Limit
10
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
  VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J C  = 4.5°C/W
1   TC   = 25°C
0
01
10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
1
Duty Cycle = 0.5
Effective Transient Thermal Impedance
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J C = 4.5°C/W
40 TC  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
t 1 ,Time (sec)
1
10 100
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t 1 , Pulse Width(s)
0.01
Notes:
PDM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.Rθ  J C  =4.5°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * Rθ J  C (t)
4.Rθ  J C  (t)=r(t) * RθJC
0.1 1
2013/6/13 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB90P06CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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