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PDF EMB60A06V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB60A06V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB60A06V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
RDSON (MAX.) 
60mΩ 
ID  6A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB60A06V
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
6 
4.3 
24 
Avalanche Current 
IAS  12 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
5 
2.5 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2.27 
0.9 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
355°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
7.5 
°C / W 
55 
2013/11/8 
p.1 

1 page




EMB60A06V pdf
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 6A
 8
 
 6
VD S  = 15V 30V
 4
 
 2
 0
03
6
9
12 15
18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
 
  100
Maximum Safe Operating Area
   10 R D S  (O  N  ) Limit
 
1
 
  0.1
VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J A  = 55°C/W
TA   = 25°C
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
  Transient Thermal Response Curve
 1
Duty Cycle = 0.5
  0.2
  0.1
0.1
  0.05
0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
 
  0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
  t 1 ,Time (sec)
 
 
 
 
 
2013/11/8 
  EMB60A06V
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
10 20 30 40
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
50
60
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 55°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t 1 ,Time ( sec )
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =55°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB60A06GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60A06SField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60A06VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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