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PDF EMB90A08G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB90A08G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB90A08G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
RDSON (MAX.) 
85mΩ 
ID  4.5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2013/7/24 
EMB90A08G
LIMITS 
±20 
4.5 
3.2 
18 
6 
1.8 
0.9 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB90A08G pdf
  EMB90A08G
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 4.5A
 
8
 
  6 V D S  = 20V 40V
 4
 
2
 
 0
02
4 6 8 10 12 14
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Ciss
Coss
Crss
10
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
  100
 
  1 0 R  D  S ( O  N )Lim it
 1
 
  0.1
10uS
100uS
1mS
10mS
10
DC
0
m
S
    V G  S =  1 0 V
S in g le  P u lse
R    JA =   1 2 5 ° C / W
    T A     =   2 5 ° C
  0.01
0 .1
1
10 100
V D   S    ‐   D r a in S o u r c e   V o lt a g e (   V  )
 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
 
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
  0.001
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
  10 4
10 3
10 2
10 1
1
10
100 1000
t 1 ,Time (sec)
 
 
 
 
 
 
2013/7/24 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB90A08GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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