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PDF EMB70N08V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB70N08V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB70N08V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
65mΩ 
ID 
 
UIS, 100% Tested 
6A 
G
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=7A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB70N08V
LIMITS 
±20 
6 
4.5 
24 
7 
2.45 
1.23 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/7/24 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB70N08V pdf
  EMB70N08V
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 6A
 8
 
 6
V D S = 20V 40V
 4
1500
1350
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
1200
Ciss
1050
900
750
600
 
 2
 0
0 3 6 9 12 15 18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
450
300
150
0
0
Coss
Crss
10
20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
  100
Maximum Safe Operating Area
 
  10 R D S ( O N  )  Limit
100μs
1ms
 1
 
  0.1
VG S  = 10V
Single Pulse
  R  JA   = 60°C/W
TA   = 25°C
10ms
100ms
1s
DC
  0.01
0.1 1 10
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 60°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
Transient Thermal Response Curve
  0.1
0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
 
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.R θ J  A =60°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
10
100 1000
t 1 ,Time (sec)
2013/7/24 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB70N08AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08CField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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