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PDF EMBB0N10V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBB0N10V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBB0N10V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
220mΩ 
ID  3A 
G
 
UIS 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=3A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMBB0N10V
LIMITS 
±20 
3 
2 
12 
3 
0.45 
0.225 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/8/30 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBB0N10V pdf
  EMBB0N10V
 
 
 
Gate Charge Characteristics
10
  I D  = 2A
 8
   6 VD  S   = 50V 80V
 
 4
1000
900
800
700
600
500
400
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
Ciss V G S  = 0 V
 
2
 
 
0
0
 
  100
6 12 18
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
M axim u m  Safe O p eratin g A rea
24
 
10
   R  D S  (O  N  )Limit
1
 
 
0.1
10uS
100uS
1mS
DC100m10SmS
  VG  S = 10V
Single Pulse
R   JA =  5 0 °C / W
  TA   = 25°C
0.01
0.1 1 10 100 1000
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
300
200
100
0
0
50
40
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
TA  = 25°C
30
100
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 1
Transient Thermal Response Curve
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
10
100 1000
t 1 ,Time (sec)
2013/8/30 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBB0N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBB0N10JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBB0N10VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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