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PDF EMDJ0N20G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMDJ0N20G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMDJ0N20G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
200V 
D
RDSON (MAX.) 
1Ω 
ID  1.1A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
 
 
2012/8/15 
EMDJ0N20G
LIMITS 
±30 
1.1 
0.7 
4.4 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMDJ0N20G pdf
  EMDJ0N20G
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 0.55A
 8
 6
VD  S   = 50V
100V
 
 4
 2
 
0
  0 3 6 9 12 15
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
 
  10
Maximum Safe Operating Area
   R D  S (O  N )Limit
100μs
1ms
1
 
10ms
100ms
  1s
  0.1
DC
800
600
Ciss
400
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
200
Coss
0 Crss
0
25 50 75
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 150°C/W
TA  = 25°C
40
30
20
    VG  S = 10V
  Single Pulse
    R  JA  = 150°C/W
0.01   TA   = 25°C
  1 10 100 1000
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
 
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
 
  0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 150°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
 
 
 
 
2012/8/15 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMDJ0N20G.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMDJ0N20AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDJ0N20GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDJ0N20JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDJ0N20QField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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