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PDF EMD26N10F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD26N10F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD26N10F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
25mΩ 
ID  30A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=30A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/12/20 
EMD26N10F
LIMITS 
±30 
30 
21 
120 
30 
45 
22.5 
40 
16 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.1 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD26N10F pdf
  EMD26N10F
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 30A
 8
 6
 
 4
VD  S   = 50V 80V
 2
 
0
 0
 
7 14 21
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
28
2000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
1500
1000
500
0
0
Coss
Crss
25 50 75
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
  103
Maximum Safe Operating Area
 
  102 RDS(ON) Limited
 
101
 
10μs
100μs
1ms
10ms
DC
  100
  TC=25°C
    RθJC=3.1°C/W
  Vgs=10V
  Single Pulse
  101
100
101
102
VDS, DrainSource Voltage( V )
 
  Transient Thermal Response Curve
Single Pulse Maximum Power Dissipation
600 Single Pulse
RTθC    J= C = 2 35°. C1° C/W
500
400
300
200
100
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  100
  D=0.5
  0.2
  101 0.1
  0.05
  0.02
0.01
single pulse
  102
Note :
  1. RθJC(t)=3.1°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2013/12/20 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD26N10F.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD26N10EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD26N10FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD26N10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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