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PDF EMD50N10F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD50N10F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD50N10F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
150V 
D
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID  22A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.2mH, ID=18A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VDSS 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
2013/12/20 
EMD50N15F
LIMITS 
150 
±30 
22 
13 
88 
18 
32.4 
16.2 
35 
14 
55 to 150 
UNIT 
V 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD50N10F pdf
 
 
  10
ID   = 20A
 8
 
Gate Charge Characteristics
  EMD50N15F
6000
4500
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
 6
 4
 
 2
VD S  = 50V
80V
3000
1500
Coss
 0
 0
20 40 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
80
Crss
0
0 10 20 30
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
40
 
  103
 
Maximum Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
SRTiθC  n  J= Cg = l2e 35 °P. C5u° Cls/eW
2500
  102
RDS(ON) Limited
 
  101
10μs
100μs
1ms
  10ms
100 DC
    TC=25°C
  RθJC=3.5°C/W
  Vgs=10V
    Single Pulse
101
  100 101
102
VDS, DrainSource Voltage( V )
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1
10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
 
  100
  D=0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  101
0.05
  0.02
0.01
  single pulse
102
 
Note :
  1. RθJC(t)=3.5°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
 
2013/12/20 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD50N10F.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD50N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD50N10FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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