DataSheet.es    


PDF EMD14N50F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD14N50F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMD14N50F (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 5 Páginas

No Preview Available ! EMD14N50F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
500V 
D
RDSON (MAX.) 
0.6Ω 
ID  14A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=14A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/12/20 
EMD14N50F
LIMITS 
±30 
14 
7.6 
56 
14 
294 
49 
48 
19 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.6 
60 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD14N50F pdf
 
 
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  18
ID = 7 A
  15
  12
 
9
 
6
 
V DS =125V
250V
 3
 0
0 5 10 15 20 25 30 35
  Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
  100
Maximum Safe Operating Area
 
  10 R D S ( O  N  ) Limit
 
100μs
1ms
10ms
 1
 
  0.1
  VG S  = 10V
Single Pulse
R  J A = 60°C/W
  TA   = 25°C
 
0.01
 1
100ms
1s
10s
DC
10 100
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1000
 
 
1
 
Duty Cycle = 0.5
 
  0.1
 
 
0.01
 
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
 
 0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
 
2013/12/20 
  EMD14N50F
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
Capacitance Characteristics
Ciss
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Coss
Crss
20 30 40 50 60
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
70
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.R θ J  A = 60°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.5 

5 Page










PáginasTotal 5 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMD14N50F.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD14N50FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar