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PDF EMD10N70F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD10N70F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD10N70F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
700V 
D
RDSON (MAX.) 
1.2Ω 
ID  10A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/12/20 
EMD10N70F
LIMITS 
±30 
10 
5.5 
40 
10 
150 
25 
48 
19 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.6 
60 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD10N70F pdf
 
 
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
18
  ID = 5 A
  15
  12
 
9
 
6
 
V DS =180V
350V
 3
 0
0
5
10 15
20 25 30 35
  Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
  100 Maximum Safe Operating Area
 
 
 
 
 
 
 
10 R D S ( O  N  ) Limit
1
0.1
  VG S  = 10V
Single Pulse
R  J A = 60°C/W
  TA   = 25°C
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
  0.01
1
 
10 100
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1000
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
  0.2
0.1
0.1
  0.05
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
 
Transient Thermal Response Curve
  0.001
  10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
 
2013/12/20 
  EMD10N70F
2000
1800
1600
1400
Ciss
1200
1000
800
600
400
200
0
10
Coss
Crss
20
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
30 40 50 60
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
70
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.R θ J  A = 60°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD10N70F.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD10N70FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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