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PDF EMBB0N10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBB0N10A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBB0N10A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
220mΩ 
ID  7A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/8/30 
EMBB0N10A
LIMITS 
±20 
7 
5 
28 
5 
1.25 
0.625 
25 
10 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBB0N10A pdf
  EMBB0N10A
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 2.5A
 8
 
 6
VD  S   = 50V 80V
 4
 
 2
 0
0
 
6 12 18
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
24
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
Ciss V  G S  = 0 V
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
 
  M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
100
 
  1 0 R  D  S ( O  N L) im it
   1
10uS
100uS
1mS
10
DC
10
0mS
m
S
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 RSθi n JC g =le 5 P Cu/lW°se
TC  = 25° C
2500
2000
1500
 
  0 .1
    V G   S   =   1 0 V
S in g le  P u lse
  R   JC  =   5 ° C / W
    T C      =   2 5 ° C
0 .0 1
  1 10 100
V D   S  ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
1000
1000
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
  Transient Thermal Response Curve
  100
D=0.5
 
0.2
 
  101 0.1
0.05
Note :
  1. RθJC(t)=5°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  102
single pulse
PDM
t1
t2
 
  105 104 103 102 101 100 101
t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2013/8/30 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBB0N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBB0N10JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBB0N10VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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