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PDF EMBJ0N20A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBJ0N20A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBJ0N20A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
200V 
D
RDSON (MAX.) 
1Ω 
ID  3.5A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 1mH, ID=1.5A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/8/6 
EMBJ0N20A
LIMITS 
±20 
3.5 
2.3 
14 
1.5 
1.12 
0.56 
29 
11 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBJ0N20A pdf
  EMBJ0N20A
 
 
  Gate Charge Characteristics
10
  I D  = 1.8A
 8
 
6
 
V D  S  = 50V
100V
800
Ciss
600
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
400
 4
 
2
 
 0
0 5 10 15 20 25
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
 
  100
Maximum Safe Operating Area
 
  10
  R D  S (O  N )Limit
 
 1
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
    VG  S = 10V
  Single Pulse
  R  JC  = 4.2°C/W
  0.1   TC   = 25°C
1 10 100 1000
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
200
Coss
0 Crss
0
50 100 150
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J C= 4.2°C/W
40 TC  = 25°C
30
200
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 
100
  D=0.5
Transient Thermal Response Curve
 
0.2
  0.1
101
  0.05
Note :
  1. RθJC(t)=4.2°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  single pulse
  102
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
 
2012/8/6 
p.5 

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PDF Descargar[ Datasheet EMBJ0N20A.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBJ0N20AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBJ0N20CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBJ0N20GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBJ0N20QField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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