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PDF EMD50N10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD50N10A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD50N10A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID  25A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=25A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/12/17 
EMD50N10A
LIMITS 
±25 
25 
17 
100 
25 
31.25 
15.6 
41 
16 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.0 
75 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD50N10A pdf
  EMD50N10A
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 25A
 
8
 
 6
VD  S   = 25V
50V
 4
 
 2
 0
0
 
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
2800
2100
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
1400
700
Coss
Crss
0
0
25 50 75
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
  103
 
Maximum Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
SRθi n JC g =le 3 P.0u° Cls/eW
TC  = 25° C
2500
   102 RDS(ON) Limited
10μs
100μs
  101
1ms
 
100
10ms
DC
    TC=25°C
  RθJC=3.0°C/W
  Vgs=10V
    Single Pulse
101
  100
VDS, DrainSo10u1rce Voltage( V )
102
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
0.05
 
0.02
  0.01
  102
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=3.0°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
 
105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
2013/12/17 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD50N10A.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD50N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD50N10FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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