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PDF EMD60N10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD60N10A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD60N10A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
60mΩ 
ID  20A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/8/6 
EMD60N10A
LIMITS 
±25 
20 
12 
60 
20 
20 
10 
31 
12 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.0 
75 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD60N10A pdf
  EMD60N10A
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 12A
 
8
VD  S   = 25V 50V
 
1200
900
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
 6
 
4
 
 2
600
300
Coss
 0
 0
4 8 12
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
16
Crss
0
0
25 50 75
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
  103
 
Maximum Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 SRTiθC  n  J= Cg = l2e 45 °P. 0Cu° Cls/eW
2500
  102
  RDS(ON) Limited
10μs
  101
100μs
1ms
 
100
10ms
DC
    TC=25°C
  RθJC=4.0°C/W
  Vgs=10V
    Single Pulse
101
100 101
102
  VDS, DrainSource Voltage( V )
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
  100
  D=0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  0.1
101
0.05
 
0.02
  0.01
  102
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=4.0°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2013/8/6 
p.5 

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PDF Descargar[ Datasheet EMD60N10A.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD60N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD60N10FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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