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PDF EMDA4N20A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMDA4N20A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMDA4N20A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
200V 
D
RDSON (MAX.) 
140mΩ 
ID  15A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 1mH, ID=11A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/4/9 
EMDA4N20A
LIMITS 
±30 
15 
10.5 
60 
11 
60.5 
30.2 
69 
27 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
1.8 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMDA4N20A pdf
  EMDA4N20A
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 7.5A
 8
 
6
 
 4
VD  S   = 50V
100V
 2
 
0
 0
30 60 90
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
120
 
  100
Maximum Safe Operating Area
  R D  S (O  N )Limit
  10
100μs
1ms
10ms
  100ms
  1s
DC
 1
    VG  S = 10V
  Single Pulse
  R  JC  = 1.8°C/W
  0.1   TA   = 25°C
1 10
100 1000
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
12000
9000
6000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
3000
Coss
0 Crss
0
25 50 75
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 RSθi n JC g =le 1 P.8u° Cls/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
  Transient Thermal Response Curve
  100
D=0.5
 
0.2
 
0.1
  101
0.05
Note :
  1. RθJC(t)=1.8°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  102
single pulse
PDM
t1
t2
 
105 104 103 102 101 100
  t1,Time( sec )
101
 
 
 
 
 
 
2013/4/9 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMDA4N20AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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