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Número de pieza | CEN2301 | |
Descripción | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
Fabricantes | CET | |
Logotipo | ||
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-20V, -2.7A, RDS(ON) = 110mΩ @VGS = -4.5V.
RDS(ON) = 160mΩ @VGS = -2.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Lead-free plating ; RoHS compliant.
SOT-23-T package.
D
DS
G
SOT-23-T
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS -20
VGS ±12
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
ID -2.7
IDM -10.8
Maximum Power Dissipation
PD 1.25
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
100
Units
V
V
A
A
W
C
Units
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 2. 2013.July.
http://www.cetsemi.com
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet CEN2301.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
CEN2301 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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