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PDF K2737 Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza K2737
Descripción 2SK2737
Fabricantes Hitachi Semiconductor 
Logotipo Hitachi Semiconductor Logotipo

Total 9 Páginas
		
K2737 Hoja de datos, Descripción, Manual
2SK2737
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 10 mtyp.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
TO–220CFM
ADE-208-533B(Z)
3rd. Edition
Jun 1998
D
G
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
S

1 page

K2737 pdf
2SK2737
1000
500
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
200
100
50
20 di / dt = 50 A / µs
10
0.1 0.3
VGS = 0, Ta = 25 °C
1 3 10 30 100
Reverse Drain Current I DR (A)
10000
5000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
2000
1000
500
Ciss
Coss
Crss
200
100 VGS = 0
f = 1 MHz
50
0 10 20 30 40 50
Drain to Source Voltage V DS (V)
Dynamic Input Characteristics
50 20
I D = 45 A
40
16
30
VDS
20
VGS
VDD = 5 V
10 V
15 V
12
8
10 VDD = 15 V
10 V
4
5V 0
0 20 40 60 80 100
Gate Charge Qg (nc)
1000
Switching Characteristics
500
t d(off)
200
tf
100 t r
50 t d(on)
20
10
0.1
VGS = 10 V, V DD = 10 V
PW = 5 µs, duty < 1 %
0.3 1 3 10 30 100
Drain Current I D (A)
5

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
K27332SK2733Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
K27372SK2737Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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