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PDF P1003BKA Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza P1003BKA
Descripción N-Channel Field Effect Transistor
Fabricantes NIKO-SEM 
Logotipo NIKO-SEM Logotipo



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No Preview Available ! P1003BKA Hoja de datos, Descripción, Manual

NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P1003BKA
Field Effect Transistor
PDFN 5x6P
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 9.8mΩ
ID
44A
D
G
S
D DDD
#1 S S S G
G. GATE
D. DRAIN
S. SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IDM
ID
PD
PD
Tj, Tstg
LIMITS
30
±20
44
28
110
12
10
31
12
2.5
1.6
-55 to 150
UNITS
V
V
A
W
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Ambient
Steady-State
RθJA
Junction-to-Case
Steady-State
RθJC
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 30A
TYPICAL
MAXIMUM
50
4
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
STATIC
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 55 °C
LIMITS
MIN TYP MAX
UNIT
30
1 1.5
3
V
±100 nA
1
µA
10
REV 0.9
Apr-12-2011
1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
P1003BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC
P1003BKAN-Channel Field Effect TransistorNIKO-SEM
NIKO-SEM

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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