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PDF PE632BA Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza PE632BA
Descripción N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fabricantes UNIKC 
Logotipo UNIKC Logotipo



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PE632BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 4.5mΩ @VGS = 10V
ID
53A
PDFN 3X3P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Tc = 25 °C
53
Continuous Drain Current2
Tc = 100 °C
TA = 25 °C
ID
33
15
Pulsed Drain Current1
TA= 70 °C
IDM
12
100
Avalanche Current
IAS 37.5
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
70
TC = 25 °C
22.7
Power Dissipation
TC = 100 °C
TA = 25 °C
PD
9
2
TA = 70 °C
1.3
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient3
RqJA
63
Junction-to-Case
RqJC
5.5
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 23A.
3The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.1 1 2016/5/3

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PE632BA pdf
PE632BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.1 5 2016/5/3

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
PE632BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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