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PDF P5103EMA Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza P5103EMA
Descripción P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fabricantes UNIKC 
Logotipo UNIKC Logotipo



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No Preview Available ! P5103EMA Hoja de datos, Descripción, Manual

P5103EMA
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-30V
51mΩ @VGS = -10V
ID
-3.8A
SOT-23(S)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS -30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
-3.8
-3
-20
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
PD
1
0.7
Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient2
RqJA
117
1Limited by maximum junction temperature.
2The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2014/4/24

1 page




P5103EMA pdf
P5103EMA
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
*因各家封模具不同而外略有所差异,不影响电性及Layout。
REV 1.0
5
2014/4/24

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
P5103EMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC
P5103EMGP-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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