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PDF P8010BIS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza P8010BIS
Descripción N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fabricantes UNIKC 
Logotipo UNIKC Logotipo



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P8010BIS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
85mΩ @VGS = 10V
ID
15A
TO-251(IS)
1.GATE
2.DRAIN
3.SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
15
9
35
Avalanche Current
IAS 12
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
7.2
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
46
18
Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
TYPICAL MAXIMUM UNITS
2.7 °C / W
REV 1.0
1 2015/3/30

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P8010BIS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
5 2015/3/30

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
P8010BISN-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC
P8010BISN-Channel Field Effect TransistorNIKO-SEM
NIKO-SEM

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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