DataSheet.es    


PDF BUZ31H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BUZ31H
Descripción Power-Transistor
Fabricantes Infineon 
Logotipo Infineon Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de BUZ31H (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 10 Páginas

No Preview Available ! BUZ31H Hoja de datos, Descripción, Manual

SIPMOS ® Power Transistor
BUZ 31 H
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
Normal Level
. Pb-free lead plating; RoHs compliant
. Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
BUZ 31 H
VDS
200 V
ID
14.5 A
RDS(on)
0.2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 30 ˚C
Pulsed drain current
TC = 25 ˚C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID = 14.5 A, VDD = 50 V, RGS = 25
L = 1.42 mH, Tj = 25 ˚C
Gate source voltage
ESD-Sensitivity HBM as per MIL-STD 883
Power dissipation
TC = 25 ˚C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Pin 1
G
Pin 2
D
Package
PG-TO-220-3
Pb-free
Yes
Pin 3
S
Symbol
ID
IDpuls
IAR
EAR
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Values
14.5
58
13.5
9
Unit
A
mJ
200
± 20
Class 1
95
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1.32
75
E
55 / 150 / 56
V
W
˚C
K/W
Rev. 2.5
Page 1
2009-11-09

1 page




BUZ31H pdf
BUZ 31 H
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
100
W
Ptot 80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 ˚C 160
TC
Drain current
ID = ƒ(TC)
parameter: VGS 10 V
14
A
12
ID 11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 20 40 60 80 100 120 ˚C 160
TC
Safe operating area
ID = ƒ(VDS)
parameter: D = 0.01, TC = 25˚C
10 2
A
ID
10 1
tp = 15.0µs
100 µs
1 ms
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
10 1
K/W
ZthJC 10 0
10 0
10 -1
10 0
10 1
10 ms
DC
10 2 V
VDS
10 -1
10 -2
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
single pulse
10 -3
10 -7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1s 10 0
tp
Rev. 2.5
Page 5
2009-11-09

5 Page










PáginasTotal 10 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet BUZ31H.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BUZ31SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ31SIPMOS Power TransistorInfineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ31Power MOS TransistorsComset Semiconductors
Comset Semiconductors
BUZ31Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar