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PDF 3DD3015A3 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD3015A3 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | Huajing Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3015 A3
○R
产品概述
3DD3015 A3 是硅 NPN
型功率开关晶体管，该产品
采用平面工艺，分压环终端
结构和少子寿命控制技术，
提高了产品的击穿电压、开
关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 充电器
● 电源转换
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot （Tc=25℃）
450
1.2
25
单位
V
A
W
封装 TO-251
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃～40℃
1 年 265℃
相对湿度 ＜85％
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定，Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流（tp＜5ms）
基极直流电流
基极脉冲电流（tp＜5ms）
耗散功率
Ta=25℃
Tc=25℃
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
1.2
2.4
0.6
1.2
1.1
25
150
-55～150
最小值 典型值
2012 版
最大值
5
113
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
单位
℃/W
℃/W
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD3015A1 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | Huajing Microelectronics |
| 3DD3015A3 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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