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Número de pieza | IPG20N10S4L-35 | |
Descripción | Power-Transistor | |
Fabricantes | Infineon | |
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No Preview Available ! OptiMOS™-T2 Power-Transistor
Features
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
• AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green Product (RoHS compliant)
• 100% Avalanche tested
IPG20N10S4L-35
Product Summary
V DS
R
4)
DS(on),max
ID
100 V
35 mW
20 A
PG-TDSON-8-4
Type
IPG20N10S4L-35
Package
Marking
PG-TDSON-8-4 4N10L35
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current
one channel active
I D T C=25 °C, V GS=10 V1)
Pulsed drain current2)
one channel active
Avalanche energy, single pulse2, 4)
Avalanche current, single pulse4)
Gate source voltage
Power dissipation
one channel active
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
I D,pulse -
E AS
I AS
V GS
I D=10A
-
-
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg -
Value
20
17
80
60
15
±16
43
-55 ... +175
Unit
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 1.1
page 1
2012-05-15
1 page IPG20N10S4L-35
5 Typ. output characteristics5)
I D=f(V DS); T j=25°C
parameter: V GS
80
10 V
60
40
20
6 Typ. drain-source on-state resistance5)
R DS(on)=f(I D); T j=25°C
parameter: V GS
90
3.5 V
4V
4.5 V
5V
80
4.5 V
70
60
4V
3.5 V
50
40
30
5V
10 V
0 20
012345
0
V DS [V]
20 40 60
I D [A]
80
7 Typ. transfer characteristics5)
I D=f(V GS); V DS=6V
parameter: T j
8 Typ. drain-source on-state resistance5)
R DS(on)=f(T j); I D=17A; V GS=10V
80 65
60
40
20
0
1
Rev. 1.1
55
45
35
175 °C
25 °C
-55 °C
234
V GS [V]
25
15
5
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
page 5
2012-05-15
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet IPG20N10S4L-35.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
IPG20N10S4L-35 | Power-Transistor | Infineon |
IPG20N10S4L-35A | Power-Transistor | Infineon Technologies |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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